APEC- SiC ပါဝါနှင့် အဆင့်မြင့် cloud ပါဝါကိရိယာများ

ရှာဖွေမှုစွမ်းရည်များကို မြှင့်တင်ထားပြီး၊ တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သော စက်များနှင့် ဘုတ်များကို ရွေးချယ်နိုင်စေမည့် အဝိုင်းပုံစံမီနူးတစ်ခုပါရှိသည်၊ ကုမ္ပဏီက ပြောကြားသည်- "အင်ဂျင်နီယာများသည် အသုံးပြုနိုင်လောက်သော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် စနစ်ဖြေရှင်းချက်များအတွက် ရွေးချယ်မှုများကို ကျဉ်းမြောင်းစေပြီး လုပ်ငန်းမစတင်မီ စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို ယုံကြည်မှုရှိစေပါသည်။ ဟာ့ဒ်ဝဲရှာဖွေမှုများနှင့် ၎င်းတို့၏ ဒီဇိုင်းများကို ပြီးမြောက်စေသည်"

APEC တွင် ဆန္ဒပြပွဲများတွင် Mosfet Onh ​​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30A, ~80 mOhm) နှင့် anTO ဝန်းကျင်တွင် တည်ဆောက်ထားသော 11 kV (100 kHz) သုံးဆင့်ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) PFC (ပါဝါအချက်ပြ ပြုပြင်ခြင်း) ၊ NCP51705 ဂိတ်မောင်း - SiC Mosfet ကိုပိတ်ပစ်မည့် အနုတ်ဘက်လိုက်မှုကိုဖန်တီးရန် အားသွင်းပန့်ပါ၀င်သည်။

ကြမ်းပြင်ပေါ်တွင် eFuse

မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်လည်း eFuse၊ စက်မှုအလိုအလျောက်စနစ်အတွက် "intelligent passive sensors"၊ high-density USB-PD (power delivery) solution၊ active clamp feedback loop နှင့် motor driver power modules များ ဖြစ်လိမ့်မည်။

Strata ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက်၊ ရည်မှန်းချက်ကြီးသော ခေါင်းစဉ်ဖြင့် "ဒီဇိုင်နာတစ်ဦး၏ လိုချင်မှုစာရင်းကို တူးလ်ဘောက်စ်တစ်ခုထဲတွင် သင်လိုအပ်သော ကိရိယာအားလုံးဖြင့် ဖိအားအောက်တွင် ကျေနပ်စေခြင်း" (မတ်လ ၁၉ ရက်၊ ၁း၃၀ နာရီ၊ အခန်း 303AB) ခေါင်းစဉ်ဖြင့် တင်ပြပါမည်။

အခြားတင်ဆက်မှု- “ခေတ်မီသော လက္ခဏာများ၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ရလဒ်များ